Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают высочайшую надежность и эффективность. В конструкцию также интегрирован быстрый SiC антипараллельный диод с высоким уровнем стабильности и низким дрейфом.

Модули поставляются в стандартном корпусе AG-62MM. Благодаря низкому уровню коммутационных потерь транзисторов CoolSiC, модули повышают КПД системы и снижают требования к системе охлаждения. Изделия  прекрасно подходят для различных AC/DC- или DC/DC-преобразователей систем зарядки электромобилей, систем преобразования и накопления энергии и многих других решений.

Особенности

• SiC транзисторы 1200 В, выполненные по технологии Trench MOSFET;
• Высокая надежность оксидного слоя затвора;
• Опциональная поставка с предварительно нанесенным теплоизоляционным материалом (TIM);
• Конфигурации полумоста (half-bridge);
• Низкая паразитная индуктивность модуля (типовое значение 20 нГн);
• Высокая скорость переключения, низкие потери;
• Работа на высоких частотах до 100 кГц.

Области применения

• Системы зарядки электромобилей;
• Системы хранения энергии;
• Солнечные инверторы;
• Источники и системы питания для различных нужд.