Компания Infineon представила новую линейку транзисторов на основе карбида кремния (SiC), входящих в семейство CoolSiC. Новые MOSFET имеют рабочее напряжение 1700 В и оптимизированы для работы во вспомогательных источниках питания.

Благодаря высокому значению напряжения «сток-исток» устраняются конструктивные проблемы, связанные с запасом по напряжению и надежностью источника, что позволяет использовать наиболее популярные в данном сегменте топологии однотактных обратноходовых преобразователей при входном напряжении вплоть до 1000 В DC.

Новая линейка MOSFET CoolSiC 1700 В выпускается в корпусах D2PAK-7L (PG-TO263-7) и имеет более низкое сопротивление открытого канала, чем у CoolSiC на 1500 В, что позволяет снизить потери более чем на 50% и использовать новые MOSFET без установки дополнительных систем охлаждения.

MOSFET CoolSiC 1700 В имеют напряжение «затвор-исток» +12 В/0 В, что позволяет управлять ими при помощи ШИМ напрямую с микроконтроллеров, без использования дополнительных драйверов.

Внешний вид новых MOSFET CoolSiC 1700 В в корпусе D2PAK-7L (PG-TO263-7)

Особенности:

• Рабочее напряжение 1700 В, оптимизированы для работы в обратноходовых преобразователях;
• Низкие потери переключения;
• Напряжение «затвор-исток» 12 В / 0 В, возможно управление напрямую с микроконтроллера;
• Контролируемое значение dV/dt для оптимизации электромагнитных помех;
• Корпус SMD D2PAK-7L с увеличенным расстоянием пути утечки и зазорами > 7 мм.

Области применения:

• Системы преобразования солнечной энергии;
• Промышленные электроприводы;
• Системы хранения энергии;
• Системы зарядки электромобилей;
• Промышленные импульсные источники питания (SMPS).

Пример использования новых MOSFET CoolSiC на 1700 В в схеме обратноходового преобразователя