Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид-кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является начало производства SiC полевых транзисторов напряжением 650 В.

Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности.

Новые SiC полевые транзисторы в сравнении с кремниевыми технологиями (IGBT/MOSFET) позволяют достичь на 75% меньше потерь на переключение и на 50% меньше потерь на проводимость, что в конечном счёте даёт потенциал увеличения плотности мощности на 300%. Это особенно актуально для электротранспорта и серверного оборудования, где разработчики смогут превзойти показатели самого амбициозного из стандартов энергоэффективности – 80+ Titanium.

Технические особенности:

• Малая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
• Малые значения паразитных ёмкостей;
• Быстрый обратный встроенный диод с малым зарядом восстановления;
• Высокая рабочая температура — до 175 *С;
• Наличие корпусов с соединением истока по схеме Кельвина;
• Компоненты в стандартных выводных и SMD-корпусах.

Целевые применения:

• Зарядные устройства;
• Преобразователи для транспорта;
• Инверторы для солнечной энергетики;
• Источники бесперебойного питания;
• Промышленные источники электропитания.