Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2).

Средний ток диодов — от 2 до 20 А. Они прекрасно подходят для использования в связке с super-junction MOSFET или IGBT. Область применения:  импульсные выпрямители, источники питания, ККМ. Использование диодов поколения G5 позволяет повысить КПД системы относительно такой же системы на кремниевых диодах на величину до 1%.

Диоды 1200 В CoolSiC G5 характеризуются лучшим в своем классе значением прямого напряжения (Vf) и низкой зависимостью характеристик от изменения температуры.

       Особенности:

• Нулевой заряд обратного восстановления (Qrr);
• Низкое значение прямого напряжения (в том числе при высокой температуре);
• Более высокое КПД по сравнению с кремневыми диодами;
• Высокая стойкость к скачкам тока;
• Двухконтактный корпус D2PAK (TO-263-2) с длиной пути утечки 4,7 мм и воздушным зазором 4,4 мм;

       Области применения:

• Системы зарядки электромобилей;
• Сварочные аппараты;
• Системы преобразования солнечной энергии;
• Системы управления двигателем;
• Источники бесперебойного питания (ИБП);
• Промышленные импульсные источники питания (SMPS);

Пример использования 1200 В CoolSiC G5 диода Шоттки