Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC).
Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.
Особенности:
- Низкие потери на переключение;
- Простота использования – управление напряжением 0…18 В;
- Наличие внутреннего диода (body diode) с низким зарядом обратного восстановления (Qrr);
- Слабая зависимость Rds(on) от температуры по сравнению с обычными MOSFET (см. таблицу ниже);
- Возможность работы со стандартными драйверами;
- Возможность работы в топологиях с жесткой коммутацией.
Области применения:
- Серверное оборудование;
- Источники бесперебойного питания (ИБП);
- Телекоммуникационное оборудование;
- Солнечные инверторы;
- Зарядные устройства;
- Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
- Системы хранения энергии.
Пример использования MOSFET 650 В в схеме источника питания
| Наименование | Id @ 100° | Rds(on) (typ.) @ 25°C | Rds(on) (typ.) @ 150°C | Корпус |
|---|---|---|---|---|
| IMW65R027M1H | 39 А | 27 мОм | 35 мОм | TO-247-3 |
| IMW65R048M1H | 24 А | 48 мОм | 63 мОм | TO-247-3 |
| IMW65R072M1H | 18 А | 72 мОм | 94 мОм | TO-247-3 |
| IMW65R107M1H | 13 А | 107 мОм | 139 мОм | TO-247-3 |
| IMZA65R027M1H | 39 А | 27 мОм | 35 мОм | TO-247-4 |
| IMZA65R048M1H | 24 А | 48 мОм | 63 мОм | TO-247-4 |
| IMZA65R072M1H | 18 А | 72 мОм | 94 мОм | TO-247-4 |
| IMZA65R107M1H | 13 А | 107 мОм | 139 мОм | TO-247-4 |
НОВОСТИ
Смотреть все новости
Новая модель от Mini-Circuits: Широкополосный датчик средней и максимальной мощности с частотой дискретизации 80 млн выборок в секунду
Датчик мощности PWR-18PWHS-RC от Mini-Circuits предназначен для работы в диапазоне от 0,05 до 18 ГГц при частоте дискретизации 80 млн выборок в секунду, он обеспечивает лучший по отрасли минимальный диапазон измерений
Дата: 18/04/2025
Модульные испытательные комплексы
Модульные решения для проведения испытаний от компании Mini-Circuits серий RCM, ZTM и ZTM2 подарят свободу конфигураций
Дата: 08/04/2025
ВАКАНСИИ
Кладовщик (электронные компоненты)
г. Зеленоград, полная занятость
Менеджер по продажам электронных компонентов
г. Зеленоград, полная занятость, опыт работы от 2х лет