Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким энергопотреблением, таких как источники бесперебойного питания (ИБП), солнечные инверторы, аудио-усилители класса D, импульсные источники питания (SMPS) и источники постоянного тока для цепей с батарейным питанием.

Среди представленных транзисторов IRF150P220 является новейшим флагманским продуктом компании. Он обладает высокой пропускной способностью и низким сопротивление открытого канала (RDS (on)), что делает его прекрасным выбором для использования в мощных приложениях. По сравнению с устройствами предыдущего поколения, пропускная способность IRF150P220 увеличилась на 19%, в то время как RDS (on) снизился на 54%, что снизило потери и увеличило мощность продукта.

Ключевые особенности:

• Самый низкий RDS (on) = 1,3 мОм для 100 В-решений – 50-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
• Самый низкий RDS (on) = 2,7 мОм для 150 В-решений – 54-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
• Способность выдерживать ток до 209 А для 100 В-решений – 7-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
• Способность выдерживать ток до 203 А для 150 В-решений – 19-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
• Рабочая температура до 175°C;
• Соответствие стандарту JEDEC.

Области применения:

• Источники бесперебойного питания (ИБП);
• Солнечные инверторы;
• Аудио-усилители класса D;
• Импульсные источники питания (SMPS);
• Цепи аккумуляторов;
• Щеточные и бесщёточные двигатели постоянного тока (BLDC).