SiC MOSFET на 1200 В от Wolfspeed для маломощных преобразователей энергии
Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры.
Новые транзисторы предлагаются в двух типах корпусов: TO-247-3 и TO-263-7.
Технические особенности:
- Слабая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
- Рабочая температура кристалла до 175°С;
- Низкие значения паразитных емкостей;
- Высокие динамические параметры;
- Увеличенная плотность мощности преобразователя;
- Снижение размера, веса и требований к охлаждению преобразователю;
- Два варианта исполнения по корпусам – TO-247-3 и TO-263-7 (D2PAK).
Целевые применения:
- Высоковольтные источники питания мощностью до 500 Вт;
- Преобразователи для собственных нужд транспорта;
- Инверторы для солнечной энергетики;
- Источники бесперебойного питания.
НОВОСТИ
Смотреть все новости
Новая модель от Mini-Circuits: Широкополосный датчик средней и максимальной мощности с частотой дискретизации 80 млн выборок в секунду
Датчик мощности PWR-18PWHS-RC от Mini-Circuits предназначен для работы в диапазоне от 0,05 до 18 ГГц при частоте дискретизации 80 млн выборок в секунду, он обеспечивает лучший по отрасли минимальный диапазон измерений
Дата: 18/04/2025
Модульные испытательные комплексы
Модульные решения для проведения испытаний от компании Mini-Circuits серий RCM, ZTM и ZTM2 подарят свободу конфигураций
Дата: 08/04/2025
ВАКАНСИИ
Кладовщик (электронные компоненты)
г. Зеленоград, полная занятость
Менеджер по продажам электронных компонентов
г. Зеленоград, полная занятость, опыт работы от 2х лет