SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки
Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM) — это широкий выбор транзисторов по сопротивлению открытого канала (Rds(on)), а также наименьшее среди аналогов сопротивление канала в дискретном выводном корпусе
Новые транзисторы будут выпускаться в стандартных для отрасли выводных корпусах (TO-247-3 и TO-247-4), а C3M0120065J — также в SMD-корпусе TO-263-7.
Технические особенности:
- Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM);
- Превосходные параметры устройства на системном уровне;
- Работа на высоких частотах (свыше 200 кГц);
- Надёжный антипараллельный диод с малым временем обратного восстановления;
- Малые значения паразитных емкостей;
- Стандартные для отрасли корпуса (TO-247-3, TO-247-4, TO-263-7);
Целевые применения:
- Серверные источники питания;
- Зарядные устройства;
- Системы бесперебойного питания;
- Инверторы для солнечной энергетики;
НОВОСТИ
Смотреть все новости
Новая модель от Mini-Circuits: Широкополосный датчик средней и максимальной мощности с частотой дискретизации 80 млн выборок в секунду
Датчик мощности PWR-18PWHS-RC от Mini-Circuits предназначен для работы в диапазоне от 0,05 до 18 ГГц при частоте дискретизации 80 млн выборок в секунду, он обеспечивает лучший по отрасли минимальный диапазон измерений
Дата: 18/04/2025
Модульные испытательные комплексы
Модульные решения для проведения испытаний от компании Mini-Circuits серий RCM, ZTM и ZTM2 подарят свободу конфигураций
Дата: 08/04/2025
ВАКАНСИИ
Кладовщик (электронные компоненты)
г. Зеленоград, полная занятость
Менеджер по продажам электронных компонентов
г. Зеленоград, полная занятость, опыт работы от 2х лет